源杰科技涨停/异动原因：
光模块+光芯片+5G
1、券商表示公司100G EML有望在2024年上半年实现批量。公司的10G 1577nm EML激光器可用于10G PON OLT光模块中。
2、公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造等业务体系，拥有多条覆盖MOCVD全流程自主可控的生产线，与国际前十大及国内主流的光模块厂商均有合作。公司光通信领域的产品包括2.5G等的DFB和EML光芯片、CW光源等产品。
3、公司作为国内稀缺的光芯片供应商，10G激光器芯片市场份额全球第一，产品主要应用于4G/5G移动通信网络等领域。
4、2024年1月31日晚公告，公司董事长提议以5000万元-1亿元回购公司股份，回购价格不高于公司董事会审议通过回购方案前30个交易日公司股票交易均价的150%。
（更新时间：2024-03-01）

题材要点：

要点一:高速光芯片
公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真，②晶圆外延工艺和光波导设计，③光栅设计与制造，④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现25/50/70mW大功率激光器新片的开发。目前，仅美日少数头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。另，2023年9月份，公司披露，在光通信领域中，公司开发的高速光芯片目前在客户端测试。

要点二:CW大功率光源可用于CPO领域
2023年2月份，公司在接受机构调研时表示，CPO是封装技术趋势之一，公司的CW大功率光源可以用于CPO领域。目前公司在大功率规模产品也有很大突破，跟海外差距不大，几乎同步。大功率光源产品与很多客户送样测试。对于CPO技术趋势，公司的重点在于研发产品，及更早融入生态链。

要点三:光芯片行业
根据LightCounting的数据，2016年至2020年，全球光模块市场规模从58.6亿美元增长到66.7亿美元，预测2025年全球光模块市场将达到113亿美元，为2020年的1.7倍。光芯片作为光模块核心元件有望持续受益。我国光芯片企业已基本掌握2.5G及以下速率光芯片的核心技术，根据ICC预测，2021年该速率国产光芯片占全球比重超过90%，10G光芯片方面，2021年国产光芯片占全球比重约60%，但不同光芯片的国产化情况存在一定差异，部分10G光芯片产品性能要求较高，难度较大，如10G VCSEL/EML激光器芯片等，国产化率不到40%，25G及以上光芯片方面，随着5G建设推进，我国光芯片厂商在应用于5G基站前传光模块的25G DFB激光器芯片有所突破，数据中心市场光模块企业开始逐步使用国产厂商的25G DFB激光器芯片，2021年25G光芯片的国产化率约20%，但25G以上光芯片的国产化率仍较低约5%，目前仍以海外光芯片厂商为主。

要点四:光芯片研发企业
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发，设计，生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场，数据中心市场，车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入，移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包含2.5G，10G，25G，50G及更高速率的DFB，EML激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入，4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计，晶圆制造，芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长，光栅工艺，光波导制作，金属化工艺，端面镀膜，自动化芯片测试，芯片高频测试，可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线，公司逐步发展为国内领先的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。

要点五:新产品研发
公司紧跟行业发展趋势，以技术为核心，不断研发高端光芯片产品。公司研发项目包含工业级50mW/70mW大功率硅光激光器开发，25/28G双速率数据中心CWDMDFB激光器，50GPAM4DFB激光器开发，100GEML激光器开发，50G及以下，100G光芯片的可靠性机理研究，用于新一代5G基站的高速DFB芯片设计和制造技术，甲烷传感器激光器芯片，1550波段车载激光雷达激光器芯片，大功率EML光芯片的集成工艺开发等项目。部分项目已进入产业化阶段，预计未来将会对公司的收入产生积极的贡献。公司在车载激光雷达领域取得了突破。1550 波段车载激光雷达激光器芯片已实现在客户端导入。

要点六:高速光模块用大功率激光器芯片
高速数据中心市场中，400G及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片直调速率达到50G或100G，已逼近直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G，800G及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合效率低，光传输损耗较大的问题。公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真，②晶圆外延工艺和光波导设计，③光栅设计与制造，④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现25/50/70mW大功率激光器新片的开发。目前，仅美日少数头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。

要点七:IDM全流程业务体系
公司是国内光芯片行业少数掌握芯片设计，晶圆制造，芯片加工和测试的IDM全流程业务体系的公司，拥有多条覆盖MOCVD外延生长，光栅工艺，光波导制作，金属化工艺，端面镀膜，自动化芯片测试，芯片高频测试，可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。光芯片行业中，相较于Fabless模式，IDM模式是行业主流方向，也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶颈的最佳生产模式。IDM模式使得公司能够快速将研发技术与生产经验结合，更快提升和改进新技术，推出新产品，保障产品的可靠性和稳定性，无需委托国际先进晶圆片厂商制造加工晶圆，实现光芯片生产全流程各环节的自主可控。

要点八:战略规划
未来，公司将立足“一平台，两方向，三关键”的战略部署，继续深耕光芯片行业，着力提升高速率激光器芯片产品的研发能力，努力攻克亟待突破的“卡脖子”瓶颈。其中，“一平台”是指公司在加强光芯片产业资源整合的基础上，着力打造良性的人才梯队，加速研发成果的转化，构建一流的人才平台。“两方向”是指纵向延拓与横向发展并行——纵向延拓方面，在现有的光通信领域中继续纵向深耕，推出更高速率的激光器芯片产品，横向发展方面，不断扩充光芯片新的应用场景，积极向激光雷达，消费电子等领域布局探索。“三关键”是指持续培育并夯实开发高质量光通信领域激光器芯片产品所需的三大关键技术力，即前瞻设计开发与知识产权，晶圆工艺开发梯队，高端设备应用与相应制程技术，公司将加大投资并加强专业培训，进一步深化技术优势。